猝發雜訊

突發雜訊是一種在半導體和超薄閘極氧化膜中出現的電子雜訊。它也被稱為隨機電報雜訊 (RTN)、爆米花雜訊、脈衝雜訊、雙穩態雜訊或隨機電報訊號 (RTS) 雜訊。

這種雜訊由兩個或多個離散的電壓或電流準位之間的突然階梯狀轉變所組成，其幅度可高達數百微伏特，且發生時間隨機而不可預測。每一次偏移電壓或電流的轉變通常持續數毫秒至數秒，如果連接到音訊揚聲器，聽起來就像爆米花爆開的聲音。

突發雜訊最早在早期的點接觸二極體中被觀察到，之後在第一批半導體運算放大器之一的 709 運算放大器商業化過程中被重新發現。理論上沒有任何單一的突發雜訊來源可以解釋所有現象，但最常被引用的成因是薄膜介面處或塊狀半導體晶體缺陷處的載子隨機俘獲與釋放。在這些電荷對電晶體性能有顯著影響的情況下（例如在 MOS 閘極下方或雙極性基極區），輸出訊號可能會相當大。這些缺陷可能由製造過程（如重離子佈植）或非預期的副作用（如表面污染）所引起。