池沼泡沫毒弧菌

Venenivibrio stagnispumantis CP.B2 菌株是首個從紐西蘭懷奧塔普地區的陸地溫泉香檳池（75一°C，pH 5.5）中分離出的微生物。

形態學

其細胞具運動性，呈微彎的桿狀（長 1.04 至 1.56 μm，寬 0.33 至 0.41 μm）。

生長條件

此新種細菌為絕對化學自營生物，能以 H₂ 為電子供體，O₂ 為對應的電子受體，並以 CO₂ 為碳源。Venenivibrio stagnispumantis 透過「氫氧爆鳴氣反應」H₂ + ½ O₂ → H₂O 獲得代謝能量。其生長需要元素硫 (S<0>) 或硫代硫酸鹽 (S₂O₃<2−>)。在 45一°C 至 75一°C 的嗜熱條件下（最適溫度 70一°C）、在 pH 4.8 至 5.8 的中度嗜酸條件下（最適 pH 5.4）以及在 1.0% 至 10.0% (v/v) O₂ 的微好氧條件下（最適氧氣濃度為 4.0% 至 8.0% (v/v)）皆可觀察到生長。

親緣關係

基於 16S rDNA 序列的親緣分析顯示，CP.B2 菌株屬於水袍菌目 (Aquificales)，並且是熱氫菌科 (Hydrogenothermaceae) 中一個新屬的新物種的模式菌株。CP.B2 菌株的 16S rRNA 基因序列已存於 GenBank 核苷酸序列資料庫，登錄號為 DQ989208。其基因組 DNA 的 G+C 含量為 29.3一mol%，是水袍菌目物種中報導過的最低 G+C 含量。

對砷與銻化合物的耐受性

Venenivibrio stagnispumantis 對相對高濃度的砷和銻化合物表現出耐受性。細胞可在高達 8 mM 的亞砷酸鹽 (As<3+>)、15 mM 的三價銻 (Sb<3+>) 以及 >20 mM 的砷酸鹽 (As<5+>) 存在下生長，但當 As<3+> 和 As<5+> 作為唯一的電子供體和受體對時，則未觀察到生長。

命名法

Ve.ne.ni.vi' bri.o.（拉丁語：毒物弧菌） stag.ni.spu.man' tis.（拉丁語：來自冒泡的池子，指香檳池）。

菌種保藏

Venenivibrio stagnispumantis CP.B2 菌株已保藏於日本微生物菌種保藏中心 (JCM 14244)、美國典型菌種保藏中心 (ATCC BAA-1398) 以及德國微生物菌種保藏中心 (DSM 18763)。

培養基

將培養基的 pH 值調整至 5.5，分裝至培養容器中，並在 CO₂ 環境下進行高壓滅菌。接種後，將初始氣相替換為 H₂ / CO₂ / O₂ (79% / 15% / 6%)，並加壓至 170 kPa。

用 HCl 將溶液的 pH 值調整至 3.0。

外部連結

• 在 BacDive（細菌多樣性元數據庫）上的 Venenivibrio stagnispumantis 模式菌株

Category:水袍菌門 Category:2008年描述的細菌